RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3837
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link