RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3230
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
DATARAM 2133MHz 11-11-11 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link