RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3026
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link