RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3430
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link