RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3482
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link