RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2608
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link