RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2340
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link