RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3008
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link