RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2670
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link