RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2408
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link