RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2619
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link