RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
3460
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link