RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1959
3119
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link