RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1676
2575
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link