RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
3418
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link