RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
3254
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-004.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link