RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2340
3107
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link