RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2553
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link