RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3866
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link