RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
99
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
99
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1386
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link