RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2789
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link