RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2918
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3B8G2C1600L9L 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link