RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3081
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link