RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
37
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3778
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link