RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
37
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3421
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link