RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2856
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link