RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
76
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
76
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1260
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link