RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
92
Wokół strony -254% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2808
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link