RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
92
Wokół strony -179% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3462
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link