RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3012
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link