RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
92
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2936
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link