RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3418
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link