RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
92
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3206
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link