RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
92
Wokół strony -254% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3834
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link