RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3879
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link