RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
4014
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link