RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
92
Wokół strony -254% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3866
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link