RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
92
99
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
99
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1499
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link