RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
92
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3621
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5402-073.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link