RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3552
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link