RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2388
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link