RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1691
2982
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link