RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
42
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1691
2790
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link