Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB

Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB

Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB

SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 11.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.7 left arrow 5.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 42
    Wokół strony -45% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 11.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.7 left arrow 5.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2075 left arrow 1670
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania