RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3026
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link