RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2705
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link