RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
50
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
50
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2326
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link