RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2913
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link