RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
61
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
61
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1813
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link