RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
61
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2080
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link